作為電子工業(yè)用氣體之一，甲硅烷SiH4不僅在液晶TFT、太陽能電池、半導(dǎo)體、感光體材料等工況具有重要的應(yīng)用，而且還用于能源工業(yè)、玻璃工業(yè)、化學(xué)工業(yè)及高科技領(lǐng)域等。這主要是由于高純四氫化硅SiH4的理化特性，為確保其性能需要對硅烷純度以及氧含量進(jìn)行檢測，那么硅烷中的微量氧含量怎么測呢？一般而言，可以直接使用基于ECD電化學(xué)法原理的高純SiH4氣體中O2濃度分析儀來檢測硅烷中氧氣的濃度值是否符合國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15909中硅烷中氧O2含量體積分?jǐn)?shù)的要求。 硅烷，一般指甲硅烷，又稱作四氫化硅，化學(xué)式為SiH4，是重要的電子工業(yè)用氣體。主要用于制作高純多晶硅、二氧化硅的低溫化學(xué)氣相淀積、氮化硅化學(xué)氣相淀積、多晶硅隔離層、多晶硅歐姆接觸層和異質(zhì)或同質(zhì)硅外延生長原料以及離子注入源和激光介質(zhì)等，還可用于制作太陽能電池、光導(dǎo)纖維和光電傳感器等。
 
工業(yè)上制備硅烷的方法主要包括硅化鎂法、氫化鋁鈉還原四氟化硅法、氯硅烷歧化工藝法等。在這些工藝過程中，原料中的氧氣可能會被引入到產(chǎn)品中。例如，硅化鎂法中，原料四氯化硅和硅化鎂在反應(yīng)過程中可能會與氧氣發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氧氣；氫化鋁鈉還原四氟化硅法中，原料四氟化硅和氫化鋁鈉在反應(yīng)過程中可能會與氧氣發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氧氣；氯硅烷歧化工藝法中，原料四氯化硅在歧化反應(yīng)過程中可能會與氧氣發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氧氣。因此，為了得到高純度的硅烷，需要采取有效的控制氧氣含量的措施，以避免氧氣對產(chǎn)品質(zhì)量的影響。
 
國家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 15909-2017 電子工業(yè)用氣體 硅烷》中對于工業(yè)硅烷氣體中氧含量要求如下：
硅烷（SiH4）純度≥99.9999%VOL，氧+氬（O2+Ar）含量≤0.05ppm

以贏潤集團(tuán)研發(fā)生產(chǎn)的ERUN-QZ9100在線式微量氧含量分析儀為例，可以用來檢測高純氣體或混合氣體中的微量氧氣濃度含量，由于采用的是進(jìn)口原裝高精度長壽命電化學(xué)原理傳感器，可以非?？焖贉?zhǔn)確地檢測出混合氣體中氧氣的濃度值，誤差小、精度高，反應(yīng)靈敏，性能穩(wěn)定可靠，幾乎免維護(hù)，通電開機(jī)即可自動工作，可實(shí)現(xiàn)長期無人化自動運(yùn)行。 硅烷中微量氧分析儀技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號：ERUN-QZ9100
檢測氣體：混合氣中微量氧氣
檢測原理：ECD電化學(xué)
量程范圍：0-1000ppm，其他量程范圍可訂制
分 辨 率：0.1ppm
誤差精度：≤±1%F.S.
響應(yīng)時間：T90≤10秒
數(shù)據(jù)傳輸：4-20 mA模擬信號、RS232/RS485標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字信號
工作溫度：－10℃ ～ ＋50℃
工作濕度：≤90%RH
工作壓力：0.05MPa ～ 0.25MPa
工作電源：220VAC±10%，50Hz±5%；12V，20000 mA超大容量可充放電池
 
以上就是關(guān)于硅烷中的微量氧含量怎么測的相關(guān)介紹，硅化鎂法、氫化鋁鈉還原四氟化硅法和氯硅烷歧化工藝法制備的電子工業(yè)用硅烷可能會含有氧氣，這是因?yàn)檫@些方法在制備過程中可能涉及到氧化反應(yīng)或者空氣中的氧氣被引入。而通過使用高純SiH4氣體中O2濃度分析儀就可以對于高純硅烷氣體中所含有的微量硅烷氣體的濃度值進(jìn)行檢測，已判定其濃度含量是否合格，如有任何疑問歡迎咨詢贏潤集團(tuán)工作人員。